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参数资料
| 型号： | STTH4R02B |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, DPAK-3 |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | STTH4R02B |
Characteristics
STTH4R02
4/13
Figure 3.
Forward voltage drop versus
forward current (maximum values)
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance, junction to case,
versus pulse duration (T0-220AC,
DPAK)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
I
FM(A)
T
j=25°C
T
j=150°C
VFM(V)
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Z
th(j-c)/Rth(j-c)
Single pulse
TO-220AC
DPAK
tp(s)
Figure 5.
Relative variation of thermal
impedance, junction to case,
versus pulse duration
(TO-220FPAC)
Figure 6.
Relative variation of thermal
impedance, junction to ambient,
versus pulse duration (SMB)
0.0
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Z
th(j-c)/Rth(j-c)
Single pulse
TO-220FPAC
tp(s)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)/Rth(j-a)
SMB
S
Cu=1cm
tp(s)
Figure 7.
Relative variation of thermal
impedance, junction to ambient,
versus pulse duration (DO-201AB)
Figure 8.
Relative variation of thermal
impedance, junction to ambient,
versus pulse duration (SMC)
1
10
100
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)(°C/W)
Single pulse
DO201AB
tp(s)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)/Rth(j-a)
SMC
S
Cu=1cm
tp(s)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH4R02U | 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| STTH506B | 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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