参数资料
型号: STTH802B-TR
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 整流器
英文描述: 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: PLASTIC, DPAK-3
文件页数: 4/11页
文件大小: 144K
代理商: STTH802B-TR
Characteristics
STTH802
2/11
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.73 x IF(AV) + 0.021 IF
2
(RMS)
Table 1.
Absolute ratings (limiting values at Tj = 25° C, unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
200
V
IF(RMS)
RMS forward current
16
A
IF(AV)
Average
forward
current,
δ = 0.5
TO-220A, DPAK, D2PAK
Tc = 145° C
8A
TO-220FPAC
Tc = 125° C
IFSM
Surge non
repetitive
forward current
tp = 10 ms Sinusoidal
100
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
° C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
° C
Table 2.
Thermal parameters
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
TO-220AC, DPAK, D2PAK
3.2
° C/W
TO-220FPAC
5.5
Table 3.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25° C
VR = VRRM
6
A
Tj = 125° C
6
60
VF
(2)
Forward voltage drop
Tj = 25° C
IF = 8 A
0.95
1.05
V
Tj = 150° C
0.8
0.90
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2 %
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2 %
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PDF描述
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