参数资料
型号: STTH8L06DRL
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
文件页数: 3/5页
文件大小: 67K
代理商: STTH8L06DRL
STTH8L06D
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1
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6
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8
9
10
11
12
02468
10
IF(av)(A)
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
P(W)
T
δ=tp/T
tp
Fig. 1: Conduction losses versus average current.
0.1
1.0
10.0
100.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VFM(V)
Tj=25°C
(Maximum values)
Tj=150°C
(Maximum values)
Tj=150°C
(Maximum values)
Tj=150°C
(Typical values)
Tj=150°C
(Typical values)
IFM(A)
Fig. 2: Forward voltage drop versus forward
current
.
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ=tp/T
tp
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
Fig. 3: Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration (TO-220AC)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
dIF/dt(A/s)
VR=400V
Tj=125°C
IF=IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=2 x IF(av)
trr(ns)
Fig. 5:
Reverse recovery time versus dIF/dt
(90% confidence).
0
1
2
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14
15
16
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
dIF/dt(A/s)
VR=400V
Tj=125°C
IF=2 x IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.25 x IF(av)
IRM(A)
Fig. 4: Peak reverse recovery current versus dIF/dt
(90% confidence).
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
Qrr(nC)
VR=400V
Tj=125°C
IF=IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=2 x IF(av)
dIF/dt(A/s)
Fig. 6: Reverse recovery charges versus dIF/dt
(90% confidence).
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PDF描述
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STTS751-1DP3E TEMPERATURE SENSOR, PDSO6
STV531 TCVCXO, SINE OUTPUT, 49.416 MHz
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SU-A3DCNCE-FREQ LVDS HF VCXO
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