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参数资料
| 型号： | SUD23N06-31L-T4-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 60V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 670pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD23N06-31L
Vishay Siliconix
N-Channel 60 V (D-S), 175 °C MOSFET, Logic Level
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) r DS(on) ( Ω )
0.031 at V GS = 10 V
60
0.045 at V GS = 4.5 V
TO-252
I D (A) a
23
19.5
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 175 °C Junction Temperature
D
Available
RoHS*
COMPLIANT
G
Drain Connected to Tab
G
D
S
S
Top View
N-Channel MOSFET
Ordering Information: SUD23N06-31L
SUD23N06-31L-E3 (Lead (Pb)-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T C = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Gate-Source Voltage
Symbol
V GS
Limit
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 175 °C) b
T C = 25 °C
T C = 100 °C
I D
23
16.5
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
Avalanche Current
I DM
I S
I AS
50
23
20
A
Single Avalanche Energy (Duty Cycle ≤ 1 %)
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C
E AS
P D
T J , T stg
20
100
3 a
- 55 to 175
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Case
t ≤ 10 sec
Steady State
R thJA
R thJC
18
40
3.2
22
50
4
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board, t ≤ 10 sec.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Document Number: 72145
S-71660-Rev. C, 06-Aug-07
www.vishay.com
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