- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18600 > SUD50P04-23-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH D-S 40V TO252 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SUD50P04-23-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 40V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1880pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50P04-23
Vishay Siliconix
P-Channel 40-V (D-S), 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
0.023 at V GS = 10 V
- 40
0.030 at V GS = 4.5 V
I D (A) a
- 20
- 20
Q g (Typ.)
20.6 nC
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
APPLICATIONS
RoHS
COMPLIANT
? LCD TV Inverter
TO-252
S
G
Drain Connected to Ta b
G
D
S
Top V ie w
Orderin g Information: SUD50P04-23-E3 (Lead (P b )-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 40
± 16
- 20 a
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 100 °C
T A = 25 °C
I D
- 20 a
- 8.2 b
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Single Pulse Avalanche Current
Avalanche Energy
T A = 100 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
- 5.7 b
- 50
- 20 a
- 2.5 b
- 20
20
A
mJ
T C = 25 °C
45.4
Maximum Power Dissipation
T C = 100 °C
T A = 25 °C
P D
22.7
3.1 b
W
T A = 100 °C
1.5 b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 175
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b
Maximum Junction-to-Case
Steady State
Steady State
R thJA
R thJC
40
2.75
48
3.3
°C/W
Notes:
a. Package limited.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 74423
S-81956-Rev. B, 25-Aug-08
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EVU-E2KFK4B14 | POT 10K OHM 9MM HORZ PLA SLEEVE |
| AML21JBE3AC | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
| EVU-E2KFK4B54 | POT 50K OHM 9MM HORZ PLA SLEEVE |
| AML22CBE2AB | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V |
| EVU-E2AF25B54 | POT 50K OHM 9MM HORZ NO BUSHING |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50P04-34-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 20A 33.3W 34mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50P04-40P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SUD50P04-40P-E3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SUD50P04-40P-T4-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 8.0A 24W 40mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50P06-15 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。