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参数资料
| 型号： | SUES2609E |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 12.5 A, 700 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 417K |
| 代理商： | SUES2609E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUES2604E | 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SUES1103G | 2 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SUES609 | 25 A, 700 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SR716 | 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SUES801 | 70 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUF005A001 | 功能描述:Photodiode 940nm 180° 制造商:amphenol advanced sensors 系列:- 包装:* 零件状态:有效 波长:940nm 颜色 - 增强:- 频谱范围:750nm ~ 1100nm 二极管类型:- 不同 nm 时的响应度:- 响应时间:- 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:- 电流 - 暗（典型值）:- 有效面积:- 视角:180° 工作温度:-30°C ~ 100°C 安装类型:用户自定义 封装/外壳:- 标准包装:500 |
| SUF083J001 | 功能描述:Photodiode 925nm 90° 制造商:amphenol advanced sensors 系列:- 包装:* 零件状态:有效 波长:925nm 颜色 - 增强:- 频谱范围:400nm ~ 1100nm 二极管类型:- 不同 nm 时的响应度:- 响应时间:- 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:- 电流 - 暗（典型值）:- 有效面积:- 视角:90° 工作温度:-30°C ~ 80°C 安装类型:用户自定义 封装/外壳:- 标准包装:500 |
| SUF-1000 | 制造商:SIRENZA 制造商全称:SIRENZA 功能描述:DC-20 GHz, Cascadable pHEMT MMIC Amplifier |
| SUF1002 | 制造商:AUK 制造商全称:AUK corp 功能描述:Dual N-channel Trench MOSFET |
| SUF1017MNTXG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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