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参数资料
| 型号： | SUF30J-E3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 251K |
| 代理商： | SUF30J-E3 |
SUF30G & SUF30J
Document Number 88754
22-Jul-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
1
Case Style P600
Ultrafast Plastic Rectifier
Major Ratings and Characteristics
IF(AV)
3.0 A
VRRM
400 V, 600 V
IFSM
80 A
trr
35 ns
VF
1.8 V, 2.0 V
Tj max.
150 °C
Features
Glass passivated chip junction
Ideal for printed circuit boards
Ultrafast reverse recovery time
Low switching losses, high efficiency
Low leakage current
High forward surge capability
Solder Dip 260 °C, 40 seconds
Typical Applications
For use in high frequency rectification and freewheel-
ing application in switching mode converters and
inverters for consumer, computer and Telecommuni-
cation
Mechanical Data
Case: P600
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E3 suffix for commercial grade
Polarity: Color band denotes cathode end
Maximum Ratings
TA = 25 °C unless otherwise specified
Parameter
Symbols
SUF30G
SUF30J
Units
Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
400
600
V
Maximum RMS voltage
VRMS
280
420
V
Maximum DC blocking voltage
VDC
400
600
V
Maximum average forward rectified current, 0.200" (5.0 mm)
lead length at TA = 60 °C
IF(AV)
3.0
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
IFSM
80
A
Operating junction and storage temperature range
TJ, TSTG
- 55 to + 150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUF30J | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SUF4004 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB |
| SUF4003 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB |
| SUM80FTX | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SUM90FTX | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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