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参数资料
| 型号： | SUM35UFSMSTXV |
| 厂商： | SOLID STATE DEVICES INC |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.4 A, 3500 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED, SMS, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | SUM35UFSMSTXV |
NOTE: All specifications are subject to change without notification.
SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.
DATA SHEET #: RC0040D
DOC
PACKAGE OUTLINE: Axial
B
C
A
D
DIMENSIONS
DIM
MIN
MAX
A
0.065”
0.165”
B
---
0.300”
C
0.047”
0.053”
D
1.00”
––
PACKAGE OUTLINE: Surface Mount Square Tab
C
B
A
D
DIMENSIONS
DIM
MIN
MAX
A
0.170”
0.180”
B
0.285”
0.325”
C
0.020”
0.030”
D
0.002”
––
Notes:
Consult manufacturing for operating curves.
Solid State Devices, Inc.
14701 Firestone Blvd * La Mirada, CA 90638
Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SUM20UF & UFSMS
thru
SUM50UF & UFSMS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUM40UFSMSS | 0.4 A, 4000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SUM40UFS | 0.4 A, 4000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SUM50UFS | 0.4 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SUM25UFSMSTX | 0.4 A, 2500 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SUM25UFSMSS | 0.4 A, 2500 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM36N20-54P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
| SUM36N20-54P-E3 | 功能描述:MOSFET 200V 36A 166W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM40F | 制造商:SSDI 制造商全称:Solid States Devices, Inc 功能描述:0.5 AMPS 2000 - 5000 VOLTS 180 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER |
| SUM40N02 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S), 175°C MOSFET |
| SUM40N02-09P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S), 175∑C MOSFET |
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