型号: | SUM60UFS |
厂商: | SOLID STATE DEVICES INC |
元件分类: | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
英文描述: | 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
封装: | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 107K |
代理商: | SUM60UFS |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SUM60UFSMSTX | 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
SUM90UFTX | 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
SUM70UFTXV | 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
SUM80UFS | 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
SV-4SS | SILICON, STABISTOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SUM60UFSMS | 制造商:SSDI 制造商全称:Solid States Devices, Inc 功能描述:400 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 60 ns ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER |
SUM65N20-30 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET |
SUM65N20-30 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
SUM65N20-30_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET |
SUM65N20-30-E3 | 功能描述:MOSFET 200V 65A 375W 30mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |