| 型号: | SUM8.2FTXV |
| 厂商: | SOLID STATE DEVICES INC |
| 元件分类: | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述: | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装: | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
| 文件页数: | 1/2页 |
| 文件大小: | 77K |
| 代理商: | SUM8.2FTXV |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SV-3SS | STABISTOR DIODE |
| SV1040T/R13 | 10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277 |
| SV1516FMRC | 205 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SV1508FKRC | 205 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SV2006KR | 220 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM85N03-06P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET |
| SUM85N03-06P_07 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175Celsius MOSFET |
| SUM85N03-06P-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 85A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM85N03-07P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET |
| SUM85N03-07P-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 85A 93W 7.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |