英飞凌IGBT模块BSM200GB60DLC价格优惠
型号:BSM200GB60DLC
厂家:英飞凌(原EUPEC)
工艺封装:IGBT2 Low Loss 34mm
特性:二单元IGBT模块
饱和压降:1.95 V
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深圳市亨力拓电子有限公司货源电话：0755-83293082 阮先生
BSM200GB60DLC二单元IGBT模块属于英飞凌(原EUPEC)低通压降IGBT模块有着广阔的应用范围如：变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源。在常见的采用半桥IGBT模块并用并行直流母线连接的ＵＰＳ设计，为了保护IGBT，使其工作在安全工作区RBSOA内，一般需要采用复杂的吸峰电路。成本高，且要消耗不少能量，有一典型的用于10kVA UPS逆变回路吸峰电路，需要80×80风扇冷却，这是UPS逆变电路亟待改进的地方。
产生ΔV原因可以从下式可以看出：ΔV=-Lσ×di/dt，其与IGBT电流下降速率和回路的电感成正比。要减小尖峰电压，可以减小电流下速率，就是通常说的关断比较软，但是会增加损耗；另一方法是减小电感，这个电感就是寄生电感。
从原理上说寄生电感与回路包围的面积有关，在设计中BSM200GB60DLC，应该选用适当的低电感器件，而且器件布局尽量紧凑。那么如何在UPS设计中减小寄生电感，废除耗能的吸峰电路，降低成本，这是UPS设计者关心的问题。
目前UPS逆变器的功率管采用的是IGBT半桥功率模块，如eupec的BSM200GB60DLC。这些IGBT都采用了双极型三极管模块的封装。