以下是日本国际电子公司可控硅,供应日本国际电子公司可控硅,品牌:日本国际电子公司可控硅 封装材料:其他 型号:日本国际电子公司可控硅 类别:其他 结构:其他 封装形式:日本国际电子公司可控硅 材料:其他 极性:其他 电流容量:大功率 频率类型:其他 ,请点击“询价”
品牌日本国际电子公司可控硅封装材料其他
型号日本国际电子公司可控硅类别其他
结构其他封装形式日本国际电子公司可控硅
材料其他极性其他
电流容量大功率频率类型其他

供应日本国际电子公司可控硅

日本国际电子公司可控硅,供应日本国际电子公司可控硅

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  • 发布日期: 2011年04月19日
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日本国际电子公司可控硅模块            PDT=两个可控硅串联,PDH=一个二极管+一个高端可控硅,PCH=低端可控硅+二极管

型号(全控 两个可控硅串联)

技术指标

批价(元)

型号(全控 两个可控硅串联)

技术指标

批价(元)

PDT308 30A/800V/2U PDT15012 150A/1200V/2U
PDT3012 30A/1200V/2U PDT15016 150A/1600V/2U
PDT3016 30A/1600V/2U PDT2008/12 200A/800V/2U
PDT608 60A/800V/2U PHT3008CF 300A/800V/1U高速可控硅
PDT6012(16) 60A/1200V(1600V)/2U PFT1503N-1K 200A/300V/3U三相可控硅共阳
PHT2508CF 250A/800V/1U高速可控硅 PFT814H 80A/400V/3U三相可控硅共阳
PAH1508/16CF 150A/800V/1U 高速可控硅+一个二极管并联   PF03N 90A/300V3U三相可控硅共阳  
PFT906N 90A/600V/3U三相可控硅共阳  
PDT1008 100A/800V/2U PFT1303N 130A/300V三相可控硅共阳  
PDT1508 150A/800V/2U PFT1306N 130A/600V三相可控硅共阳  
PDT10012 100A/1200V/2U PFT1503N 150A/300V三相可控硅共阳  
PDT10016 100A/1600V/2U PFT1506N 150A/600V三相可控硅共阳  
PBF 203     PDG30014 300A/1400V二个可控硅+2个二极管  
PBF206 20A/600V 桥式可控硅 PBH206    
PBF308 30A/800V   PBH203    
      PBH308AC    

型号(半控 二极管+ 端可控硅)

技术指标

批价(元)

型号(半控 二极管+高端可控硅)

技术指标

批价(元)

PDH(PCH)308 30A/800V/2U PGH10016AM 100A/1600V
PDH(PCH)3012(16) 30A/1200V(1600V)/2U PGH2008AM 200A/800V
PDH(PCH)608 60A/800V/2U PGH20016AM 200A/1600V
PDH(PCH)6012(16) 60A/1200V(1600V)/2U PAH1008CF 100A/800V
PDH(PCH)1008 100A/800V/2U PAH1008CM 100A/800V
PDH(PCH)10012(16) 100A/1200V(1600V)/2U PAH2514CF 250A/1400V  
PDH(PCH)1508 150A/0V/2U PAH1508CF 150A/800V
PDH(PCH)15012(16) 150A/1200V(1600V)/2U PAH15016CF 150A/1600V
PDH(PCH)2008(12) 200A/800V(1200V)/2U PVC75-08 75A/800V
PGH5F308A 30A/800V PAH3008CF 300A/800V  
PGH3016AM 30A/1600V PVC75-16 75A/800V
PGH5016AM 50A/1600V PVC76-08 76A/800V
PGH758M 75A/800V PVC76-16 76A/800V
PGH7516AM 75A/1600V PVC110-16 110A/800V

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以上是日本国际电子公司可控硅,供应日本国际电子公司可控硅,品牌:日本国际电子公司可控硅 封装材料:其他 型号:日本国际电子公司可控硅 类别:其他 结构:其他 封装形式:日本国际电子公司可控硅 材料:其他 极性:其他 电流容量:大功率 频率类型:其他的信息
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