IXFH52N30Q全新现货IXYS代理IXFH52N30Q功率MOSFET

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IXFH52N30Q全新现货IXYS代理IXFH52N30Q功率MOSFET 最新批号

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IXFH52N30Q全新现货IXYS代理IXFH52N30Q功率MOSFET 封装TO - 247

部分编号：IXFH52N30Q
描述：高电压的Q -级HiPerFETs（高达1200V）
配置：单
包装样式号：TO - 247

特点
?低栅极电荷
?国际标准封装
?EpoxymeetUL94V - 0可燃性
分类
?低RDS（ON）HDMOSTM过程
?坚固的多晶硅栅单元结构
?额定雪崩能量和电流
?快速内在整流器
优势
?易于安装
?节省空间
?高功率密度