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制造商： AOS 标准包装数： 3000
封装： SO-8 包装： Tape&Reel
类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合
产品描述： MOSFETS
参数 数值
系列 -
FET 类型 N
FET 功能 -
漏源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 10.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 23mΩ @4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 2.4V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 7.5nC
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 740pF
功率 - 最大值 3.1W
装配类型 Surface Mount
封装/外壳 -
供应商器件封装 SO-8
结构 Single
通用 Load Switch
ESD二极管 No
肖特基二极管 No
肖特基类型 -
栅极电压 (±V) 20
电流 - 连续漏极 (Id)(A)@70° C 8.5
功率 (W)@70°C 2
导通电阻(mΩ max) at栅极电压=10V 17
导通电阻 (mΩ max) at栅极电压=4.5V 23
导通电阻 (mΩ max) at栅极电压=2.5V -
导通电阻 (mΩ max) at栅极电压=1.8V -
导通电阻 (mΩ max) at栅极电压=1.5V -
导通电阻(mΩ max) at栅极电压=1.2V -
栅短路共源反向传输电容(pF) 82
米勒电荷(nC) 3
开通延迟时间(ns) 5
关断延迟时间(ns) 19

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