H5TQ2G63DFR描述
尽管所有地址和控制输入的边缘上升的CK(CK)的边缘下降,数据,数据用闪光灯和面具写入数据输入采样在上升和下降的边缘。数据路径内部流水线和8位预取的实现非常高的带宽。
H5TQ2G63DFR特性
?VDD = VDDQ = 1.5 v + / - 0.075 v
?完全微分时钟输入(CK、CK)操作
?微分数据(dq,dq)
?在芯片DLL对齐DQ、DQ和DQ与CK过渡转型
?DM面具写数据输入的数据选通脉冲的上升和下降的边缘
?所有地址和控制输入,除了数据,数据用闪光灯和数据掩盖了锁定在时钟的上升的边缘
?可编程CAS延迟5、6、7、8、9、10、11、12、13和14支持
?可编程添加剂延迟0、CL-1 CL-2支持
?可编程脉冲时间4/8咬顺序和交错模式
?平均刷新周期(Tcase 0摄氏度~ 95摄氏度)
- μs at - 7.8 0oC ~ 85 oC
- 3.9μs在85度~ 95度
商业温度(0摄氏度~ 85摄氏度)
工业温度(-40度~ 95度)
?汽车自我更新的支持
?JEDEC标准78球FBGA(x8 -),96球FBGA(x16)
?驱动力量选择电子病历
?动态模终止支持
?异步复位销支持
?ZQ校准支持
?TDQS(终止数据选通)支持(×8只)
?写Levelization支持
?8位预取
IDD和IDDQ规范参数
IDD和IDDQ测试条件和测试条件
?IDD电流(例如IDD0、IDD1 IDD2N,IDD2NT,IDD2P0,IDD2P1,IDD2Q,IDD3N,IDD3P,IDD4R,IDD4W,IDD5B,IDD6,IDD6ET,IDD6TC和IDD7)测量是时间上的电流与所有VDD球DDR3 SDRAM测试下绑在一起。不包括任何IDDQ当前IDD。
?IDDQ电流(例如IDDQ2NT和IDDQ4R)测量上的电流与所有VDDQ球DDR3 SDRAM测试下绑在一起。不包括任何IDD当前IDDQ坏蛋——租金。
注意:
IDDQ值不能直接用来计算IO DDR3 SDRAM的力量。他们可以用来支持相关的模拟输入输出功率实际输入输出功率如图2中列出。分别在DRAM模块应用程序中,IDDQ无法衡量自VDD VDDQ使用模块PCB merged-power层之一。
对于IDD和IDDQ测试,以下定义适用:
?“0”和“低”的定义是VIN < = V ILAC(max)。
?“1”和“高”被定义为VIN > = V IHAC(max)。
?“MID_LEVEL”被定义为输入VREF = VDD / 2。
?时间用于IDD和IDDQ Measurement-Loop模式是表1中提供。
?基本IDD和IDDQ测试条件如表2中所描述的。
?详细IDD和IDDQ Measurement-Loop模式是描述在表3表10。
?IDD测量正确初始化DDR3 SDRAM后完成。这包括但不仅lim -报道设置
?注意:IDD和IDDQ Measurement-Loop模式需要执行至少一个实际IDD或IDDQ测试开始时间。
?定义D = { CS,RAS,中科院,我们}:= {高、低、低、低}
?定义D = { CS,RAS,中科院,我们}:= {高,高,高,高}
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