以下是,Infineon OptiMOS 3系列 BSC077N12NS3 G N沟道 MOSFET 98A 120V 8-TDSON封装,品牌:Infineon 型号:BSC077N12NS3 G 封装:8-TDSON 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:N沟道 ,请点击“询价”
-Infineon OptiMOS 3系列 BSC077N12NS3 G N沟道 MOSFET 98A 120V 8-TDSON封装 品牌:Infineon 型号:BSC077N12NS3 G 封装:8-TDSON 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:N沟道-买卖IC网
Infineon OptiMOS 3系列 BSC077N12NS3 G N沟道 MOSFET 98A 120V 8-TDSON封装
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  • 发布日期: 2017年11月29日
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品牌Infineon型号BSC077N12NS3
封装8-TDSON类型绝缘栅型场效应管
沟道类型N沟道  
深圳市鑫弘瑞电子有限公司是专业IC方案服务商,经营品种齐全,产品广泛应用于电源、通信、数码、汽车、医疗、工、民用电子等设备。我们秉承互惠互利、共发展的原则,热忱欢迎国内外经销商、厂商前来洽谈合作,共谋发展!联系方式:0755-82764860、18927434041,QQ:183818172 / 3044067800 蔡经理!




产品技术参数

制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

BSC077N12NS3G

描述

MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
?湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)


一般信息

标准包装  5,000
包装  标准卷带 
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列OptiMOS??


规格

FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)120V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)13.4A(Ta),98A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 110μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)88nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)5700pF @ 60V
Vgs(最大值)±20V
FET 功能-
功率耗散(最大值)139W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)7.7 毫欧 @ 50A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装PG-TDSON-8
封装/外壳8-PowerTDFN




产品实拍图:

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