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-Infineon OptiMOS 3系列 BSC077N12NS3 G N沟道 MOSFET 98A 120V 8-TDSON封装 品牌:Infineon 型号:BSC077N12NS3 G 封装:8-TDSON 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:N沟道-买卖IC网
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以下是,Infineon OptiMOS 3系列 BSC077N12NS3 G N沟道 MOSFET 98A 120V 8-TDSON封装,品牌:Infineon 型号:BSC077N12NS3 G 封装:8-TDSON 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:N沟道
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Infineon OptiMOS 3系列 BSC077N12NS3 G N沟道 MOSFET 98A 120V 8-TDSON封装
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,Infineon OptiMOS 3系列 BSC077N12NS3 G N沟道 MOSFET 98A 120V 8-TDSON封装
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发 货 期: 7 天内发货
所 在 地: 广东 深圳市 福田区
发布日期: 2017年11月29日
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联系人:蔡小姐 (女士)
电话:0755-82764860/18927434041
传真:-
邮件:863079188@qq.com
地址:华强北街道华强电子世界2号楼4楼23C255
的详细信息
品牌
Infineon
型号
BSC077N12NS3
封装
8-TDSON
类型
绝缘栅型场效应管
沟道类型
N沟道
深圳市鑫弘瑞电子有限公司是专业IC方案服务商,经营品种齐全,产品广泛应用于
电源
、通信、数码、汽车、医疗、工、民用电子等设备。我们秉承互惠互利、共发展的原则,热忱欢迎国内外经销商、厂商前来洽谈合作,共谋发展!联系方式:0755-82764860、18927434041,QQ:183818172 / 3044067800 蔡经理!
产品技术参数
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
BSC077N12NS3G
描述
MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
?湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
一般信息
标准包装
5,000
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
OptiMOS??
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
120V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
13.4A(Ta),98A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 110μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
88nC @ 10V
不同 Vds 时的输入
电容
(Ciss)(最大值)
5700pF @ 60V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
139W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
7.7 毫欧 @ 50A,10V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PG-TDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
产品实拍图:
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