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以下是，全新SI2302 A2SHB 贴片SOT23 2.5A/20V 贴片MOS三极管，品牌:VISHAY 封装材料:塑料封装 型号:SI2302 类别:贴片 结构:平面型 封装形式:SOT-23 材料:硅 极性:NPN型 电流容量:中功率 频率类型:低频 ，请点击“询价”
-全新SI2302 A2SHB 贴片SOT23 2.5A/20V 贴片MOS三极管 品牌:VISHAY 封装材料:塑料封装 型号:SI2302 类别:贴片 结构:平面型 封装形式:SOT-23 材料:硅 极性:NPN型 电流容量:中功率 频率类型:低频-买卖IC网
全新SI2302 A2SHB 贴片SOT23 2.5A/20V 贴片MOS三极管
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，全新SI2302 A2SHB 贴片SOT23 2.5A/20V 贴片MOS三极管

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2017年12月19日
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品牌VISHAY封装材料塑料封装
型号SI2302类别贴片
结构平面型封装形式SOT-23
材料硅极性NPN型
电流容量中功率频率类型低频
制造商零件编号：SI2302
描述：（HST）MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.5A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商:Vishay SilIConix
系列:TrenchFET
包装 :带卷（TR） 
零件状态:在售
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:20V
电流-连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）:850mV@250μA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.5nC@4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:-
Vgs（最大值）:±8V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:710mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:57 毫欧@3.6A，4.5V
工作温度:-55°C~150°C（TJ）
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
产品供应商：深圳市恒胜泰科技有限公司

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CS668-020
CS668-G035
HL9901
GM23C4000A-434
GM23C4000A-055
GM23C4000A-404
GM23C4000A-435
GM23C8000B-390
GM23C8000B-082
GM23C8000A-244
5658CW-504
GM23C32200A-091
KC-5214-017
GC020-100
M60A3
CA6102
AM6180
AM6380
A8621
19105
GR842
9904A
99130
F3N29
P660A
CS408-4008
CS408-4007
CS408-4009
MG266
CS668-35
GM4000

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