FDD8445介绍：
描述 MOSFET N-CH 40V 70A DPAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 5 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 40V 70A（Tc） 79W（Tc） TO-252AA
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 PowerTrench?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 59nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4050pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 79W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8.7 毫欧 @ 50A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252AA
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。
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