制造商编号：IRFR5505TRPBF

制造商：Infineon Technologies

说明：MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 55 V
Id-连续漏极电流: - 18 A
Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: - 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 32 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 57 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 4.2 S
下降时间: 16 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 28 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: SP001573294
单位重量: 4 g

产品供应商：深圳市恒胜泰科技有限公司

原厂进口现货：