RN1907FE,LF介绍：
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
制造商标准提前期 16 周
详细描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
制造商 Toshiba SemIConductor and Storage
系列 -
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 50V
电阻器 - 发射极基底（R2） 47 千欧
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）
频率 - 跃迁 250MHz
功率 - 最大值 100mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563，SOT-666
供应商器件封装 ES6
晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。
东芝(Toshiba)，是日本最大的半导体制造商，也是第二大综合电机制造商，隶属于三井集团。公司创立于1875年7月，原名东京芝浦电气株式会社，1939年由东京电气株式会社和芝浦制作所合并而成，业务领域包括数码产品、电子元器件、社会基础设备、家电等。
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