RSQ035P03TR介绍:
描述 MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
详细描述 表面贴装 P 沟道 30V 3.5A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Rohm SemIConductor
系列 -
包装 带卷(TR)
零件状态 不適用於新設計
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 65 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.2nC @ 5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 780pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.25W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TSMT6(SC-95)
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
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