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MOS(场效应管) SI9933CDY-T1-E3,现货原装SI9933CDY-T1-E3
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  • 发布日期: 2019年07月25日
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  • 地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
型号SI9933CDY-T1-E3  
品牌:VISHAY(威世)
厂家型号:SI9933CDY-T1-E3
封装规格:SOIC-8_150mil
商品毛重:0.000245 KG
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A
漏源电压(Vdss):20V
栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA
漏源导通电阻:58 mΩ @ 4.8A,4.5V
类型:2 个 P 沟道(双)
最大功率耗散(Ta):3.1W

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