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品牌TI型号LM201ADR2G

LM201ADR2G

，LM201ADR2G

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  • 所 在 地： 北京 北京市辖区 朝阳区
  • 发布日期： 2019年09月29日
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工艺参数:

双相

输入失调电压:

2 (mV)

功耗:

0.625 (W)

安装:

面山

操作温度范围:

-25 c到85 c

包装类型:

SOIC N

包装:

磁带和卷轴

针数:

8

数量的元素:

1

共模抑制比:

80 (dB)

操作温度分类:

商业

双电源电压(Typ):

“±9 /±12 /±15 /±18 (V)”

输入偏置电流:

75 (nA)
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