参数资料
| 型号： | SY10EP01VKG TR |
| 厂商： | Micrel Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE OR/NOR 3.3V/5V 4IN 8MSOP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | 10EP |
| 逻辑类型： | 或非门/或门 |
| 电路数： | 1 |
| 输入数： | 4 |
| 施密特触发器输入： | 无 |
| 输出类型： | 差分 |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | SY10EP01VKGTR SY10EP01VKGTR-ND |
IDT / ICS 3.3V, 2.5V LVPECL TRANSLATOR
5
ICS8532AMI REV A NOVEMBER 13, 2006
ICS85320I
LVCMOS/LVTTL-TO-DIFFERENTIAL 3.3V, 2.5V LVPECL TRANSLATOR
ADDITIVE PHASE JITTER
Input/Output Additive Phase Jitter
@ 156.25MHz (12KHz to 20MHz)
= 0.05ps typical
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-160
-170
-180
-190
1k
10k
100k
1M
10M
100M
The spectral purity in a band at a specific offset from the
fundamental compared to the power of the fundamental is called
the
dBc Phase Noise. This value is normally expressed using a
Phase noise plot and is most often the specified plot in many
applications. Phase noise is defined as the ratio of the noise power
present in a 1Hz band at a specified offset from the fundamental
frequency to the power value of the fundamental. This ratio is
expressed in decibels (dBm) or a ratio of the power in the 1Hz
As with most timing specifications, phase noise measurements
have issues. The primary issue relates to the limitations of the
equipment. Often the noise floor of the equipment is higher than
the noise floor of the device. This is illustrated above. The device
band to the power in the fundamental. When the required offset
is specified, the phase noise is called a
dBc value, which simply
means dBm at a specified offset from the fundamental. By
investigating jitter in the frequency domain, we get a better
understanding of its effects on the desired application over the
entire time record of the signal. It is mathematically possible to
calculate an expected bit error rate given a phase noise plot.
meets the noise floor of what is shown, but can actually be lower.
The phase noise is dependant on the input source and
measurement equipment.
OFFSET FROM CARRIER FREQUENCY (HZ)
SSB
P
HASE
N
OISE
dB
c
/H
Z
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SY10EP01VKI | 功能描述:IC GATE OR/NOR 3.3V/5V 4IN 8MSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - 栅极和逆变器 - 多功能，可配置 系列:10EP 产品变化通告:Product Obsolescence 05/Oct/2010 标准包装:100 系列:- 逻辑类型:可配置多功能 电路数:2 输入数:2 施密特触发器输入:无 输出类型:差分 输出电流高，低:- 电源电压:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-LBGA，FCBGA 供应商设备封装:16-FCBGA（4x4） 包装:带卷 (TR) |
| SY10EP01VKI TR | 功能描述:IC GATE OR/NOR 3.3V/5V 4IN 8MSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - 栅极和逆变器 - 多功能，可配置 系列:10EP 产品变化通告:Product Obsolescence 05/Oct/2010 标准包装:100 系列:- 逻辑类型:可配置多功能 电路数:2 输入数:2 施密特触发器输入:无 输出类型:差分 输出电流高，低:- 电源电压:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-LBGA，FCBGA 供应商设备封装:16-FCBGA（4x4） 包装:带卷 (TR) |
| SY10EP01VZC | 功能描述:IC GATE OR/NOR 3.3V/5V 4IN 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - 栅极和逆变器 - 多功能，可配置 系列:10EP 产品变化通告:Product Obsolescence 05/Oct/2010 标准包装:100 系列:- 逻辑类型:可配置多功能 电路数:2 输入数:2 施密特触发器输入:无 输出类型:差分 输出电流高，低:- 电源电压:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-LBGA，FCBGA 供应商设备封装:16-FCBGA（4x4） 包装:带卷 (TR) |
| SY10EP01VZC TR | 功能描述:IC GATE OR/NOR 3.3V/5V 4IN 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - 栅极和逆变器 - 多功能，可配置 系列:10EP 产品变化通告:Product Obsolescence 05/Oct/2010 标准包装:100 系列:- 逻辑类型:可配置多功能 电路数:2 输入数:2 施密特触发器输入:无 输出类型:差分 输出电流高，低:- 电源电压:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-LBGA，FCBGA 供应商设备封装:16-FCBGA（4x4） 包装:带卷 (TR) |
| SY10EP01VZG | 功能描述:逻辑门 3.3V/5V 4-input OR/NOR (I Temp, Green) RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
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