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参数资料
| 型号： | SYS32512LKI-025 |
| 英文描述： | Ultra Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | X32号的SRAM模块 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 206K |
| 代理商： | SYS32512LKI-025 |
ISSUE 1.5 : December 1998
SYS321000ZK/LK - 012/015/20/25
4
Write Cycle
-12
-15
-20
-25
Parameter
Symbol
min
max
min
max
min
max
min
max
Unit
Write Cycle Time
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
12
-
15
-
20
-
25
-
ns
Chip Selection to End of Write
8
-
12
-
15
-
15
-
ns
Address Valid to End of Write
8
-
12
-
15
-
15
-
ns
Address Setup Time
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
Write Pulse Width
15
-
15
-
15
-
15
-
ns
Write Recovery Time
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
Write to Output in High Z
0
6
0
7
0
8
0
10
ns
Data to Write Time Overlap
6
-
8
-
10
-
12
-
ns
Data Hold from Write Time
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
Output active from End of Write
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
AC OPERATING CONDITIONS
Read Cycle
-12
-15
-20
-25
Parameter
Symbol
min
max
min
max
min
max
min
max
Unit
Read Cycle Time
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
OH
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
12
-
15
-
20
-
25
-
ns
Address Access Time
-
12
-
15
-
20
-
25
ns
Chip Select Access Time
-
12
-
15
-
20
-
25
ns
Output Enable to Output Valid
-
6
-
7
-
10
-
12
ns
Output Hold from Address Change
3
-
3
-
4
-
5
-
ns
Chip Selection to Output in Low Z
3
-
3
-
3
-
3
-
ns
Output Enable to Output in Low Z
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
Chip Deselection to O/P in High Z
0
7
0
7
0
8
0
10
ns
Output Disable to Output in High Z
0
7
0
7
0
8
0
10
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SYS32512LKI-30 | Ultra Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes |
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| SYS32512LKL-020 | Ultra Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes |
| SYS32512LKL-025 | Ultra Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes |
| SYS32512LKL-30 | Ultra Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SYS32512LKI-30 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x32 SRAM Module |
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