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参数资料
| 型号： | SZBZX84C20LT1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 20 V, 0.225 W, SILICON, BIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 176K |
| 代理商： | SZBZX84C20LT1 |
BZX84B4V7LT1, BZX84C2V4LT1 Series
http://onsemi.com
4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS BZX84BxxxL (Tight Tolerance Series)
(Pinout: 1-Anode, 2-No Connection, 3-Cathode) (TA = 25°C unless otherwise noted, VF = 0.90 V Max. @ IF = 10 mA)
Device
Marking
VZ (Volts) @ IZT = 5 mA
(Note 4)
ZZT (W) @
IZT = 5 mA
(Note 4)
Max Reverse
Leakage
Current
qVZ
(mV/k)
@ IZT = 5 mA
C (pF)
@ VR =0,
f = 1 MHz
IR
@
VR
Min
Nom
Max
mA
Volts
Min
Max
BZX84B4V7LT1, G
T10
4.61
4.7
4.79
80
3
2
3.5
0.2
260
BZX84B5V1LT1, G
T11
5.00
5.1
5.20
60
2
2.7
1.2
225
BZX84B5V6LT1, G
T12
5.49
5.6
5.71
40
1
2
2.5
200
BZX84B6V2LT1, G
T13
6.08
6.2
6.32
10
3
4
0.4
3.7
185
BZX84B6V8LT1, G
T14
6.66
6.8
6.94
15
2
4
1.2
4.5
155
BZX84B7V5LT1, G
T15
7.35
7.5
7.65
15
1
5
2.5
5.3
140
BZX84B8V2LT1, G
T16
8.04
8.2
8.36
15
0.7
5
3.2
6.2
135
BZX84B9V1LT1, G
T17
8.92
9.1
9.28
15
0.5
6
3.8
7
130
BZX84B12LT1, G
T18
11.8
12
12.2
25
0.1
8
6
10
130
BZX84B15LT1, G
T22
14.7
15
15.3
30
0.05
10.5
9.2
13
110
BZX84B16LT1, G
T19
15.7
16
16.3
40
0.05
11.2
10.4
14
105
BZX84B18LT1, G
T20
17.6
18
18.4
45
0.05
12.6
12.4
16
100
BZX84B22LT1, G
T24
21.6
22
22.4
55
0.05
15.4
16.4
20
85
BZX84B24LT1, G
T25
23.5
24
24.5
70
0.05
16.8
18.4
22
80
4. Zener voltage is measured with a pulse test current IZ at an ambient temperature of 25°C.
* The “G” suffix indicates PbFree package available.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SZBZX84C5V1LT1 | 5.1 V, 0.225 W, SILICON, BIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| SZBZX84C15LT1 | 15 V, 0.225 W, SILICON, BIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| SZMMBZ27VCLT1 | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB |
| SZMMBZ15VDLT1 | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB |
| SZMMBZ5225BLT1 | 3 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SZBZX84C20LT1G | 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W SPCL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SZBZX84C22ET1G | 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SZBZX84C22LT1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| SZBZX84C22LT1G | 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SZBZX84C22LT3G | 功能描述:DIODE ZENER 225MW 22V SOT-23-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
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