参数资料
| 型号： | SZMMBZ12VALT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ZENER 40W 12V SOT23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 8.5V |
| 电压 - 击穿： | 11.4V |
| 功率（瓦特）： | 40W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
MMBZxxxALT1G Series, SZMMBZxxxALT1G Series
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A = 25 ? C unless otherwise noted)
UNIDIRECTIONAL (Circuit tied to Pins 1 and 3 or 2 and 3)
Symbol
Parameter
I PP
V C
V RWM
I R
Maximum Reverse Peak Pulse Current
Clamping Voltage @ I PP
Working Peak Reverse Voltage
Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
I F
I
I R V F
V BR
I T
Q V BR
Breakdown Voltage @ I T
Test Current
Maximum Temperature Coefficient of V BR
V C V BR V RWM
I T
V
I F
Forward Current
V F
Z ZT
I ZK
Z ZK
Forward Voltage @ I F
Maximum Zener Impedance @ I ZT
Reverse Current
Maximum Zener Impedance @ I ZK
I PP
Uni ? Directional TVS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ? C unless otherwise noted)
UNIDIRECTIONAL (Circuit tied to Pins 1 and 3 or Pins 2 and 3)
(V F = 0.9 V Max @ I F = 10 mA)
24 WATTS
Breakdown Voltage
Max Zener
Impedance (Note 5)
V C @ I PP
(Note 6)
Device*
Device
Marking
V RWM
Volts
I R @
V RWM
m A
V BR (Note 4) (V)
Min Nom Max
@ I T
mA
Z ZT
@ I ZT
W
Z ZK @ I ZK
W mA
V C
V
I PP
A
Q V BR
mV/ 5 C
MMBZ5V6ALT1G/T3G
MMBZ6V2ALT1G
MMBZ6V8ALT1G
MMBZ9V1ALT1G
5A6
6A2
6A8
9A1
3.0
3.0
4.5
6.0
5.0
0.5
0.5
0.3
5.32
5.89
6.46
8.65
5.6
6.2
6.8
9.1
5.88
6.51
7.14
9.56
20
1.0
1.0
1.0
11
?
?
?
1600
?
?
?
0.25
?
?
?
8.0
8.7
9.6
14
3.0
2.76
2.5
1.7
1.26
2.80
3.4
7.5
(V F = 0.9 V Max @ I F = 10 mA)
40 WATTS
Device*
Device
Marking
V RWM
Volts
I R @
V RWM
nA
Breakdown Voltage
V BR (Note 4) (V)
Min Nom Max
@ I T
mA
V C @ I PP (Note 6)
V C I PP
V A
Q V BR
mV/ 5 C
MMBZ12VALT1G
MMBZ15VALT1G
MMBZ18VALT1G
MMBZ20VALT1G
MMBZ27VALT1G/T3G
MMBZ33VALT1G
12A
15A
18A
20A
27A
33A
8.5
12
14.5
17
22
26
200
50
50
50
50
50
11.40
14.25
17.10
19.00
25.65
31.35
12
15
18
20
27
33
12.60
15.75
18.90
21.00
28.35
34.65
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
17
21
25
28
40
46
2.35
1.9
1.6
1.4
1.0
0.87
7.5
12.3
15.3
17.2
24.3
30.4
4. V BR measured at pulse test current I T at an ambient temperature of 25 ? C.
5. Z ZT and Z ZK are measured by dividing the AC voltage drop across the device by the AC current applied. The specified limits are for I Z(AC)
= 0.1 I Z(DC) , with the AC frequency = 1.0 kHz.
6. Surge current waveform per Figure 6 and derate per Figure 7
* Include SZ-prefix devices where applicable.
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3
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PDF描述 |
|---|---|
| 3431-5502 | CONN HEADER 34PS R/A SHORT LATCH |
| 86093967113745AJLF | DIN RA HEADER F |
| 3429-6603 | CONN HEADER 26POS STR LONG LATCH |
| ISL28413FBZ-T13 | IC OPAMP GP RRIO 2MHZ QD 14SOIC |
| LMH6642MFX/NOPB | IC OP AMP R-R LP 3V 75MA SOT23-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SZMMBZ15VALT1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| SZMMBZ15VALT1G | 功能描述:TVS二极管阵列 ZEN REG .225W 12V RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| SZMMBZ15VALT3G | 功能描述:TVS ZENER 40W 15V SOT23-3 RoHS:是 类别:过电压，电流，温度装置 >> TVS - 二极管 系列:- 标准包装:4,000 系列:- 电压 - 反向隔离（标准值）:3.3V 电压 - 击穿:6V 功率（瓦特）:- 电极标记:4 通道阵列 - 双向 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:10-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| SZMMBZ15VAWT1G | 功能描述:稳压二极管 ZEN DUAL 15V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SZMMBZ15VDLT1G | 功能描述:TVS二极管阵列 ZNR DUAL SUPPRESSR RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
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