参数资料
型号: SZMMBZ15VALT1
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述: 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236
封装: PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
文件页数: 6/7页
文件大小: 150K
代理商: SZMMBZ15VALT1
MMBZ5V6ALT1 Series
http://onsemi.com
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TYPICAL COMMON ANODE APPLICATIONS
A quad junction common anode design in a SOT23
package protects four separate lines using only one package.
This adds flexibility and creativity to PCB design especially
when board space is at a premium. Two simplified examples
of TVS applications are illustrated below.
MMBZ5V6ALT1
THRU
MMBZ33VALT1
KEYBOARD
TERMINAL
PRINTER
ETC.
FUNCTIONAL
DECODER
I/O
A
MMBZ5V6ALT1
THRU
MMBZ33VALT1
GND
Computer Interface Protection
B
C
D
Microprocessor Protection
I/O
RAM
ROM
CLOCK
CPU
CONTROL BUS
ADDRESS BUS
DATA BUS
GND
VGG
VDD
MMBZ5V6ALT1
THRU
MMBZ33VALT1
相关PDF资料
PDF描述
SZN6309C 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
SZN6309DSMS 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
SZN6309DS 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
SZN6309DTX 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
SZN6309SMSTX 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
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SZMMBZ15VAWT1G 功能描述:稳压二极管 ZEN DUAL 15V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
SZMMBZ15VDLT1G 功能描述:TVS二极管阵列 ZNR DUAL SUPPRESSR RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
SZMMBZ15VDLT3G 功能描述:TVS二极管阵列 ZNR DUAL SUPPRESSR RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C