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参数资料
型号： SZMMBZ5257BLT1
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 齐纳二极管
英文描述： 33 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
封装： PLASTIC, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件页数： 3/6页
文件大小： 72K
代理商： SZMMBZ5257BLT1
MMBZ5221BLT1 Series
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Pinout: 1-Anode, 2-NC, 3-Cathode) (VF = 0.9 V Max @ IF = 10 mA for all types.)
Device
Marking
Zener Voltage (Note 3)
Zener Impedance
Leakage Current
VZ (Volts)
@ IZT
ZZT @ IZT
ZZK @ IZK
IR @ VR
Min
Nom
Max
mA
W
mA
Volts
MMBZ5221BL, G
18A
2.28
2.4
2.52
20
30
1200
0.25
100
1
MMBZ5222BL, G
18B
2.37
2.5
2.63
20
30
1250
0.25
100
1
MMBZ5223BL, G
18C
2.56
2.7
2.84
20
30
1300
0.25
75
1
MMBZ5224BL, G
18D
2.66
2.8
2.94
20
30
1400
0.25
75
1
MMBZ5225BL, G
18E
2.85
3
3.15
20
29
1600
0.25
50
1
MMBZ5226BL, G
8A
3.13
3.3
3.47
20
28
1600
0.25
25
1
MMBZ5227BL, G
8B
3.42
3.6
3.78
20
24
1700
0.25
15
1
MMBZ5228BL, G
8C
3.70
3.9
4.10
20
23
1900
0.25
10
1
MMBZ5229BL, G
8D
4.08
4.3
4.52
20
22
2000
0.25
5
1
MMBZ5230BL, G
8E
4.46
4.7
4.94
20
19
1900
0.25
5
2
MMBZ5231BL, G
8F
4.84
5.1
5.36
20
17
1600
0.25
5
2
MMBZ5232BL, G
8G
5.32
5.6
5.88
20
11
1600
0.25
5
3
MMBZ5233BL, G
8H
5.70
6
6.30
20
7
1600
0.25
5
3.5
MMBZ5234BL, G
8J
5.89
6.2
6.51
20
7
1000
0.25
5
4
MMBZ5235BL, G
8K
6.46
6.8
7.14
20
5
750
0.25
3
5
MMBZ5236BL, G
8L
7.12
7.5
7.88
20
6
500
0.25
3
6
MMBZ5237BL, G
8M
7.79
8.2
8.61
20
8
500
0.25
3
6.5
MMBZ5238BL, G
8N
8.26
8.7
9.14
20
8
600
0.25
3
6.5
MMBZ5239BL, G
8P
8.64
9.1
9.56
20
10
600
0.25
3
7
MMBZ5240BL, G
8Q
9.50
10
10.50
20
17
600
0.25
3
8
MMBZ5241BL, G
8R
10.4
11
11.55
20
22
600
0.25
2
8.4
MMBZ5242BL, G
8S
11.40
12
12.60
20
30
600
0.25
1
9.1
MMBZ5243BL, G
8T
12.35
13
13.65
9.5
13
600
0.25
0.5
9.9
MMBZ5244BL, G
8U
13.30
14
14.70
9
15
600
0.25
0.1
10
MMBZ5245BL, G
8V
14.25
15
15.75
8.5
16
600
0.25
0.1
11
MMBZ5246BL, G
8W
15.20
16
16.80
7.8
17
600
0.25
0.1
12
MMBZ5247BL, G
8X
16.15
17
17.85
7.4
19
600
0.25
0.1
13
MMBZ5248BL,G
8Y
17.10
18
18.90
7
21
600
0.25
0.1
14
MMBZ5249BL, G
8Z
18.05
19
19.95
6.6
23
600
0.25
0.1
14
MMBZ5250BL,G
81A
19.00
20
21.00
6.2
25
600
0.25
0.1
15
MMBZ5251BL, G
81B
20.90
22
23.10
5.6
29
600
0.25
0.1
17
MMBZ5252BL, G
81C
22.80
24
25.20
5.2
33
600
0.25
0.1
18
MMBZ5253BL, G
81D
23.75
25
26.25
5
35
600
0.25
0.1
19
MMBZ5254BL, G
81E
25.65
27
28.35
4.6
41
600
0.25
0.1
21
MMBZ5255BL, G
81F
26.60
28
29.40
4.5
44
600
0.25
0.1
21
MMBZ5256BL, G
81G
28.50
30
31.50
4.2
49
600
0.25
0.1
23
MMBZ5257BL, G
81H
31.35
33
34.65
3.8
58
700
0.25
0.1
25
MMBZ5258BL, G
81J
34.20
36
37.80
3.4
70
700
0.25
0.1
27
MMBZ5259BL, G
81K
37.05
39
40.95
3.2
80
800
0.25
0.1
30
MMBZ5260BL, G
81L
40.85
43
45.15
3
93
900
0.25
0.1
33
MMBZ5261BL, G
81M
44.65
47
49.35
2.7
105
1000
0.25
0.1
36
MMBZ5262BL, G
81N
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51
53.55
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125
1100
0.25
0.1
39
MMBZ5263BL, G
81P
53.20
56
58.80
2.2
150
1300
0.25
0.1
43
MMBZ5264BL, G
81Q
57.00
60
63.00
2.1
170
1400
0.25
0.1
46
MMBZ5265BL, G
81R
58.90
62
65.10
2
185
1400
0.25
0.1
47
MMBZ5266BL, G
81S
64.60
68
71.40
1.8
230
1600
0.25
0.1
52
MMBZ5267BL, G
81T
71.25
75
78.75
1.7
270
1700
0.25
0.1
56
MMBZ5268BL, G
81U
77.90
82
86.10
1.5
330
2000
0.25
0.1
62
MMBZ5270BL, G
81W
86.45
91
95.55
1.4
400
2300
0.25
0.1
69
3. Zener voltage is measured with a pulse test current IZ at an ambient temperature of 25°C
NOTE:
MMBZ5233BLT1, MMBZ5246BLT1, MMBZ5251BLT1, and MMBZ5252BLT1 Not Available in 10,000/Tape & Reel.
The “G” suffix indicates PbFree package available.
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PDF描述
SZMMBZ5237BLT1 8.2 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
SZMMBZ5258BLT1 36 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
SZMMBZ5260BLT1 43 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
SZMMBZ5V6ALT1 24 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236
SZMMBZ15VALT1 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236
相关代理商/技术参数
参数描述
SZMMBZ5257ELT1G 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 33V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
SZMMBZ5258BLT1G 功能描述:DIODE ZENER 225MW 36V SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
SZMMBZ5259BLT1G 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 39V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
SZMMBZ5260BLT1G 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 43V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
SZMMBZ5261BLT1G 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 47V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
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