配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

TPS1211-Q1
深圳市恒科翔业电子有限公司
深圳市恒科翔业电子有限公司
联系人：郑
电话：0755-8323836017302646294
地址：华强北路华强广场B座27D
24000
TI德州仪器
22+
-
原装正品现货，实单可谈，量大价优

TPS1211Q1EVM
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
100
Texas Instruments
con
21+
-
现货原装查价格、订购可到京北通宇商城w...

TPS1211Q1EVM
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
Texas Instruments
con
21+
-
现货原装查价格、订购可到京北通宇商城w...

TPS1204
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
7140
TI
QFN16
1234+
-
原装现货/特价

TPS1204
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
218
TI
QFN16
2012+
-
只做原装正品。

TPS120808
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

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您是不是要找： TPS-15L TPS1H000AQDGNRQ1 TPS1H100AQPWPRQ1 TPS1H100BQPWPRQ1 TPS1H100EVM TPS-1L TPS-1LB TPS2000CDGK TPS2000CDGKR

TPS12 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

TPS12 技术参数

TPS1120DR 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:15V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.17A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:840mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 TPS1120D 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:15V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.17A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:840mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:75 TPS1101PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:15V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.18A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:710mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:16-TSSOP 标准包装:1 TPS1101D 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:15V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:791mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:75 TPS1100PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:15V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.27A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:504mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 TPS2000CDGN TPS2000CDGNR TPS2001CDGK TPS2001CDGKR TPS2001CDGN TPS2001CDGNEVM-635 TPS2001CDGNR TPS2001DDBVR TPS2001DDBVT TPS2001DDGK TPS2001DDGKR TPS2002CDRCR TPS2002CDRCT TPS2003CDRCR TPS2003CDRCT TPS2003CEVM-016 TPS2010AD TPS2010ADG4