TPS1101D

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功能描述
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

TPS1101D 技术参数

TPS1100PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:15V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.27A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:504mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 TPS1100D 功能描述:MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:15V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:791mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:75 TPS UNIVERSAL DEMO KIT 功能描述:DEMO KIT DIGIPILE SENSORS TO USB 制造商:excelitas technologies 系列:DigiPile? 零件状态:在售传感器类型:温度感应范围:- 接口:- 灵敏度:- 电压 - 电源:- 嵌入式:- 所含物品:板使用的 IC/零件:DigiPile? 标准包装:5 TPS ADAPTERBOARD SMD 功能描述:ADAPTERBOARD CALIPILE 制造商:excelitas technologies 系列:CaliPile? 零件状态:在售传感器类型:红外线感应范围:- 接口:I2C 灵敏度:- 电压 - 电源:2.6 V ~ 3.6 V 嵌入式:- 所含物品:板使用的 IC/零件:CaliPile? 标准包装:5 TPS ADAPTERBOARD 功能描述:ADAPTERBOARD DIGIPILES 制造商:excelitas technologies 系列:DigiPile? 零件状态:在售传感器类型:温度感应范围:- 接口:- 灵敏度:- 电压 - 电源:- 嵌入式:- 所含物品:板使用的 IC/零件:DigiPile? 标准包装:5 TPS1H000AQDGNRQ1 TPS1H100AQPWPRQ1 TPS1H100BQPWPRQ1 TPS1H100EVM TPS-1L TPS-1LB TPS2000CDGK TPS2000CDGKR TPS2000CDGN TPS2000CDGNR TPS2001CDGK TPS2001CDGKR TPS2001CDGN TPS2001CDGNEVM-635 TPS2001CDGNR TPS2001DDBVR TPS2001DDBVT TPS2001DDGK