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参数资料
| 型号： | T10C220B |
| 厂商： | CRYDOM CORP |
| 元件分类： | 浪涌电流限制器 |
| 英文描述： | 265 V, 250 A, SILICON SURGE PROTECTOR |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | T10C220B |
SiBOD
Series
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T10C220E | 265 V, 250 A, SILICON SURGE PROTECTOR |
| T10C270B | 360 V, 250 A, SILICON SURGE PROTECTOR |
| T10C270E | 360 V, 250 A, SILICON SURGE PROTECTOR |
| T10C080E | 120 V, 250 A, SILICON SURGE PROTECTOR |
| T10C180E | 210 V, 250 A, SILICON SURGE PROTECTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T10C220BF | 功能描述:硅对称二端开关元件 100A RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| T10C220E | 功能描述:硅对称二端开关元件 100A RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| T10C220EF | 功能描述:硅对称二端开关元件 100A RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| T10C220J | 功能描述:硅对称二端开关元件 100A RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| T10C220JF | 功能描述:硅对称二端开关元件 100A RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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