参数资料
型号: T1201N70TOH
元件分类: 晶闸管
英文描述: 2600 A, 7000 V, SCR
文件页数: 2/9页
文件大小: 273K
代理商: T1201N70TOH
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 1201N
BIP AM / SM PB, 2001-04-06, Przybilla J. / Keller
2/9
Seite/page
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/s, -diT/dt = 10 A/s
4.Kennbuchstabe / 4
th letter O
tq
typ.
600
s
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/s
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Qr
max.
10
mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/s
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
IRM
max.
250
A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
RthJC
max.
0,0097
0,009
0,017
0,0195
°C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
max.
0,0025
0,005
°C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
125 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
36...52
kN
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46244
Gate
Kathode /Cathode
A 4,8x0,8
A 6,3x0,8
Gewicht
weight
G
typ.
1700 g
Kriechstrecke
creepage distance
33 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s
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