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参数资料
| 型号： | T1329N20TOF |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 2600 A, 2000 V, SCR |
| 文件页数： | 12/30页 |
| 文件大小： | 398K |
| 代理商： | T1329N20TOF |
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1329 N 18...22
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Vorlufige Daten
Charakteristische Werte / Characteristic values
Preliminary Data
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM=ITAVM
tq
circuit commutatet turn-off time
vRM =100V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/s, -diT/dt = 10 A/s
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
typ.
300
s
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Kühlflche / cooling surface
RthJC
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided, =180°sin
max. 0,0184
°C/W
beidseitig / two-sided, DC
max. 0,0170
°C/W
Anode / anode, =180°sin
max. 0,0344
°C/W
Anode / anode, DC
max. 0,0330
°C/W
Kathode / cathode, =180°sin
max. 0,0364
°C/W
Kathode / cathode, DC
max. 0,0350
°C/W
bergangs- Wrmewiderstand
Kühlflche / cooling surface
RthJK
thermal resitance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max. 0,0025
°C/W
einseitig / single-sided
max. 0,0050
°C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
Tvj max
125
°C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
Tc op
-40...125
°C
operating temperature
Lagertemperatur
Tstg
-40...150
°C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
Seite 3
case, see appendix
page 3
Si-Element mit Druckkontakt, Ampilying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amlifying gate
Anprekraft
F
20 ...45
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
540
g
weight
Kriechstrecke
32
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 21.09.98, K.-A.Rüther
A114/ 98
Seite/page 2 (29)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T1391N40TOH | 2800 A, 4000 V, SCR |
| T1391N42TOH | 2800 A, 4200 V, SCR |
| T160CL | 5900 MHz - 6400 MHz RF/MICROWAVE 3 PORT CIRCULATOR |
| T160N10EOF | 300 A, 1000 V, SCR |
| T160N12EOF | 300 A, 1200 V, SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T1329N22TOF | 功能描述:SCR模块 2.2KV 26.5KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| T1329N22TOF VT | 功能描述:SCR PCT 2200V 1329A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| T132-SERIES | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Peripheral IC |
| T1330060120-000 | 功能描述:H6B-TSH-M20 制造商:te connectivity amp connectors 系列:HB 包装:散装 零件状态:在售 连接器类型:防护罩 样式:侧面插入 尺寸:H6B 锁定位置:基座底锁夹（1） 螺纹尺寸:M20 大小/尺寸:2.362" 长 x 1.693" 宽 x 2.835" 高（60.00mm x 43.00mm x 72.00mm） 外壳颜色:灰色 特性:- 侵入防护:IP65 - 防尘，耐水 外壳材料:铝合金，铸件 外壳表面:粉末涂层 工作温度:-40°C ~ 125°C 标准包装:1 |
| T1330160140-000 | 功能描述:H16B-TSH-RO-M40 制造商:te connectivity amp connectors 系列:HB 包装:散装 零件状态:在售 连接器类型:防护罩 样式:侧面插入 尺寸:H16B 锁定位置:基座底锁夹（1） 螺纹尺寸:M40 大小/尺寸:3.681" 长 x 1.693" 宽 x 2.992" 高（93.50mm x 43.00mm x 76.00mm） 外壳颜色:灰色 特性:- 侵入防护:IP65 - 防尘，耐水 外壳材料:铝合金，铸件 外壳表面:粉末涂层 工作温度:-40°C ~ 125°C 标准包装:1 |
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