参数资料
型号: T160N10EOF
元件分类: 晶闸管
英文描述: 300 A, 1000 V, SCR
文件页数: 2/7页
文件大小: 234K
代理商: T160N10EOF
T 160 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Hchstzulssige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...tvj max
VDRM, VRRM
600 800 1000 1200
1400 1600 1800
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state
voltage
tvj = -40°C...tvj max
VDSM = VDRM 600 800 1000 1200
1400 1600 1800
V
Rückwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
tvj = +25°C...tvj max
VRSM = VRRM 700 900 1100 1300
1500 1700 1900
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
ITRMSM
300
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
tc = 85°C
ITAVM
160
A
tc = 73°C
190
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
tvj = 25°C, tp = 10 ms
ITSM
3800
A
tvj = tvj max, tp = 10 ms
3400
A
Grenzlastintegral
I2 t-value
tvj = 25°C, tp = 10 ms
I2 t
72000
A2s
tvj = tvj max, tp = 10 ms
58000
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
vD ≤ 67%, vDRM, f = 50 Hz
(diT/dt)cr
150
A/s
vL=10 V, iGM= 0,75 A, diG/dt =0,75 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
tvj = tvj max, vD = 67% VDRM
(dv/dt)cr
1000
V/s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
tvj = tvj max, iT = 600 A
vT
max. 1,96
V
Schleusenspannung
threshold voltage
tvj = tvj max
VT(TO)
1,08
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
tvj = tvj max
rT
1,53
m
Zündstrom
gate trigger current
tvj = 25 °C, vD = 6 V
IGT
max. 150
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
tvj = 25 °C, vD = 6 V
VGT
max. 1,4
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
tvj = tvj max, vD = 6 V
IGD
max. 5
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
VGD
max. 0,2
V
Haltestrom
holding current
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5
IH
max. 200
mA
Einraststrom
latching current
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10
IL
max. 620
mA
iGM =0,75 A, diG /dt =0,75 A/s, tg = 20 s
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
tvj = tvj max, vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
max. 30
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
tvj=25°C, iGM =0,75 A,diG/dt =0,75 A/s tgd
max. 4,5
s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
siehe Techn.Erl./see Techn. Inf.
tq
typ. 200
s
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Θ
=180° el, sin
RthJC
max. 0,15 °C/W
DC
max. 0,14 °C/W
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
tvj max
125
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
tc op
-40...+125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
tstg
-40...+150
°C
Mechanische Eigenschaften Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anzugsdrehmoment
tightening torque
Gehuseform/case design B
M
20
Nm
Anprekraft
clamping force
Gehuseform/case design E
F
3,5
kN
Gewicht, Bauform E
weight, case design E
G
typ. 190
g
Kriechstrecke
creepage distance
8
mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s
Mabild, anliegend
outlines, attached
DIN 41 894-222A4/DIN 41892-204B3
相关PDF资料
PDF描述
T160N12EOF 300 A, 1200 V, SCR
T160N14EOF 300 A, 1400 V, SCR
T160N16EOF 300 A, 1600 V, SCR
T160N06EOF 300 A, 600 V, SCR
T160N08EOF 300 A, 800 V, SCR
相关代理商/技术参数
参数描述
T160N12BOF 功能描述:SCR模块 1.2KV 3.8KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
T160N12COF 制造商:n/a 功能描述:Power SCR
T160N12EOF 功能描述:SCR模块 1.2KV 3.8KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
T160N13COF 制造商:n/a 功能描述:Power SCR
T160N13EOF 制造商:n/a 功能描述:Power SCR