- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录225266 > T160N16EOF 300 A, 1600 V, SCR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | T160N16EOF |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 300 A, 1600 V, SCR |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | T160N16EOF |
T 160 N
Bild / Fig. 27
Transienter innerer Wrmewiderstand / Transient thermal impedance
ZthJC = f(t)
Parameter: Stromfluwinkel / current conduction angle θ
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn[°C/W]
τn [s]
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes ZthJC pro Zweig für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC per arm for DC
Analytische Funktion / Analytical function:
nmax
Σ
n=1
ZthJC =
Rthn (1-e )
t
- τn
Bild / Fig. 24
Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with trigging
areas vG = f(iG), VD = 6 V
Parameter:
a
b
c
d
–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
Steuerimpulsdauer / trigger puls duration tg
[ms] 10
1
0,5 0,1
–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
Hchstzulssige Spitzensteuerverlustleistung /
Max. rated peak gate power dissipation
[W]
40
80 100 150
–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
Bild / Fig. 26
Sperrverzgerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
tvj = tvj max, vR = 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlastrom / On-state current iTM
Bild / Fig. 25
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iGM)
tvj = 25 °C, diG/dt = iGM/1s
a - Maximaler Verlauf / Limiting characteristic
b - Typischer Verlauf / Typical characteristic
0,00832 0,0243 0,0373 0,037
0,0353
0,00089 0,0171 0,0905 0,413
2,16
0,1
0,2
0,5
1
2
5
10
20
30
vG
[V]
5
10
20
50 100 200
500
1
2
5
10
20
50
iG
a
b
c
d
mA
A
T160 N / 24
iGM
103
4
102
40
20
10
4
6
2
1
0,4
0,2
0,1
tgd
[s]
10
20
40 60 100 200 400
1
2
4 6 10
20
40 60 100
mA
A
a
b
tvj=25°C
T 160 N/ 25
102
2
4
6
8
103
2
4
6
8
104
100
2
3
4
5 6 7 8 101
2
3
4
5 6 7 8 102
-di/dt [A/s]
Qr
[As]
iTM=
20A
50A
100A
200A
500A
T 160 N / 26
t
0
0,05
0,10
0,15
0,20
0,25
1
2
4
10 20 40 100 200 400
1
2 4
10
100
20 40
s
ms
Z(th)JC
[°C/W]
Θ
=
30°
60°
90°
120°
180°
DC
____
------
T 160 N/ 27
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T160N06EOF | 300 A, 600 V, SCR |
| T160N08EOF | 300 A, 800 V, SCR |
| T1869N18TOF | 4100 A, 1800 V, SCR |
| T1869N20TOF | 4100 A, 2000 V, SCR |
| T2100T | 400 MHz - 450 MHz RF/MICROWAVE ISOLATOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T160N17COF | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T160N18 | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T160N18BOF | 功能描述:SCR模块 1.8KV 3.8KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| T160N18COF | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T160N18EOF | 功能描述:SCR模块 1.8KV 3.8KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。