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参数资料
| 型号： | T1869N18TOF |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 4100 A, 1800 V, SCR |
| 文件页数： | 12/19页 |
| 文件大小： | 531K |
| 代理商： | T1869N18TOF |
Vorlufige Daten
Preliminary Data
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T1869N
SZ-M / 01.06.99, K.-A. Rüther
A 109/99
2/18
Seite/page
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/s, -diT/dt = 10 A/s
4.Kennbuchstabe / 4
th letter O
tq
typ.
300
s
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
max.
0,0133
0,0125
0,0218
0,0206
0,0342
0,0318
°C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
max.
0,0030
0,0060
°C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
125 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
30...65
kN
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46244
Gate
Kathode /Cathode
A 2,8x0,8
A 4,8x0,8
Gewicht
weight
G
typ.
900 g
Kriechstrecke
creepage distance
30 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T1869N20TOF | 4100 A, 2000 V, SCR |
| T2100T | 400 MHz - 450 MHz RF/MICROWAVE ISOLATOR |
| T6007T | 1420 MHz - 1530 MHz RF/MICROWAVE ISOLATOR |
| T6038C | 1660 MHz - 1740 MHz RF/MICROWAVE 3 PORT CIRCULATOR |
| T6038T | 1660 MHz - 1740 MHz RF/MICROWAVE ISOLATOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T1869N19T0F | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T1869N20T0F | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T1869N20TOF | 功能描述:SCR模块 NETZ-THYRISTOR PHASE CONTROL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| T1869N21T0F | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T1869N22T0F | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
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