型号: | T218N |
元件分类: | 晶闸管 |
英文描述: | 400 A, 600 V, SCR |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 132K |
代理商: | T218N |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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T2301N | 4900 A, 4800 V, SCR |
T2551N | 5340 A, 1200 V, SCR |
T2601N | 5500 A, 4800 V, SCR |
T348N | 600 A, 200 V, SCR |
T731N | 1750 A, 3600 V, SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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T218N10TOF | 功能描述:SCR模块 1KV 3.8KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
T218N1200TOC22 | 制造商:n/a 功能描述:Thyristor Puck |
T218N12TOF | 功能描述:SCR模块 1.2KV 3.8KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
T218N12TOF VT | 功能描述:SCR PCT 1200V 218A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
T218N14TOF | 功能描述:SCR模块 1.4KV 3.8KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |