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参数资料
| 型号： | T2509N04TOF |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 4900 A, 400 V, SCR |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 266K |
| 代理商： | T2509N04TOF |
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T2509N
SZ-MA / 15.09.98, K.-A. Rüther
A 113/98
2/10
Seite/page
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/s, -diT/dt = 10 A/s
4.Kennbuchstabe / 4
th letter O
tq
typ.
200
s
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
max.
0,0184
0,0170
0,0344
0,0330
0,0364
0,0350
°C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
RthCH
max.
0,0025
0,0050
°C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
140 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+140 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
24...56
kN
Steueranschlüsse
control terminals
Gate
Kathode / cathode
A 2,8x0,8
A 4,8x0,8
Gewicht
weight
G
typ.
540 g
Kriechstrecke
creepage distance
32 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T2535-800G-TR | 800 V, 25 A, SNUBBERLESS TRIAC |
| T2535-800G | 800 V, 25 A, SNUBBERLESS TRIAC |
| T26A-FREQ2-OUT3-STBY6 | TCXO, CLOCK, 0.05 MHz - 50 MHz, TTL OUTPUT |
| T26A-FREQ1-OUT1-STBY2 | TCXO, SINE OUTPUT, 1 MHz - 100 MHz |
| T26A-FREQ1-OUT1-STBY5 | TCXO, SINE OUTPUT, 1 MHz - 100 MHz |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T2509N04TOF VT | 功能描述:SCR PCT 400V 250A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| T2509N05TOF | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T2509N06TOF | 功能描述:SCR模块 600V 46KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| T2509N06TOF VT | 功能描述:SCR PCT 600V 250A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| T250A | 制造商:EGS Appleton 功能描述:Exact Equal/ 1-5 Days |
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