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参数资料
| 型号： | T436416D-5S |
| 厂商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4米× 16 SDRAM的100万x 16Bit的X 4Banks同步DRAM |
| 文件页数： | 17/73页 |
| 文件大小： | 734K |
| 代理商： | T436416D-5S |
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TE
CH
tm
Recommended D.C. Operating Conditions (V
DD
= 3.3V
±
0.3V, T
A
= 0~70
°
C)
Description/Test condition
Operating Current
t
RC
≥
t
RC
(min), Outputs Open
One bank active
Precharge Standby Current in non-power down mode
t
CK
= tck(min), CS#
≥
V
IH
(min), CKE
≥
V
IH
Input signals are changed very 2clks
Precharge Standby Current in non-power down mode
T
CK
=
∞
, CLK
≤
V
IL
(max), CKE
≥
V
IH
Precharge Standby Current in power down mode
t
CK
= tck(min), CKE
≤
V
IL
(max)
Precharge Standby Current in power down mode
T
CK
=
∞
, CKE
≤
V
IL
(max)
Active Standby Current in non-power down mode
t
CK
= tck(min), CKE
≥
V
IH
(min), CS#
≥
V
IH
(min)
Input signals are changed very 2clks
Active Standby Current in non-power down mode
CKE
≥
V
IH
(min), CLK
≤
V
IL
(max), t
CK
=
∞
Operating Current (Burst mode)
t
CK
=t
CK
(min),
Outputs Open, Multi-bank interleave
Refresh Current
t
RC
≥
t
RC
(min)
Self Refresh Current
V
IH
≥
V
DD
- 0.2, 0V
≤
V
IL
≤
0.2V
Parameter
Description
T436416D
TM Technology Inc. reserves the right
P. 17
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
-5
-6
-7
Symbol
Max.
Unit
Note
I
DD1
100
85
75
3
I
DD2N
25
3
I
DD2NS
15
I
DD2P
2
3
I
DD2PS
2
I
DD3N
30
I
DD3NS
25
I
DD4
120
100
90
3, 4
I
DD5
150
130
120
3
I
DD6
2
mA
Min.
Max.
Unit Note
I
IL
Input Leakage Current
( 0V
≤
V
IN
≤
V
DD
, All other pins not under test = 0V )
Output Leakage Current
Output disable, 0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
)
LVTTL Output "H" Level Voltage
( I
OUT
= -2mA )
LVTTL Output "L" Level Voltage
( I
OUT
= 2mA )
- 1
1
uA
I
OL
- 1
1
uA
V
OH
2.4
-
V
V
OL
-
0.4
V
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PDF描述 |
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