- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录299949 > T458N20TOF (INFINEON TECHNOLOGIES AG) 1000 A, 2000 V, SCR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | T458N20TOF |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 1000 A, 2000 V, SCR |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 266K |
| 代理商： | T458N20TOF |
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T458N
MA-BE, 11.10.93, Rüther
A 22/93
1/10
Seite/page
enndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Tvj = -40°C... Tvj max
VDRM,VRRM 2000
2200
2400
2600
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
2000
2200
2400
2600
V
Rückwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
2100
2300
2500
2700
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
ITRMSM
1000 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
TC = 58 °C
ITAVM
459
640
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
10000
9000
A
Grenzlastintegral
It-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
It
500
405
10 As
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 1,25 A,
diG/dt = 1,25 A/s
(diT/dt)cr
120 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5
th letter F
(dvD/dt)cr
1000 V/s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 2 kA
Tvj = Tvj max , iT = 0,4 kA
vT
max.
2,75
1,21
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
1,00 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
0,84 m
Durchlakennlinie
200 A ≤ iT ≤ 2000 A
on-state characteristic
T
i
D
1)
i
(
ln
C
i
B
A
v
+
+
+
=
Tvj = Tvj max
A=
B=
C=
D=
7,500E-01
7,877E-04
-5,399E-03
1,153E-02
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25 °C, vD = 12V
IGT
max.
250 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25 °C, vD = 12V
VGT
max.
1,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD
max.
5
2,5
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
VGD
max.
0,2 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12V
IH
max.
200 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10
iGM = 1,25 A, diG/dt = 1,25 A/s,
tg = 20 s
IL
max.
620 mA
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
max.
80 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, iGM = 1,25 A,
diG/dt = 1,25 A/s
tgd
max.
3,3 s
prepared by: H.Sandmann
date of publication:
2007-09-03
approved by: J.Przybilla
revision:
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T458N22TOF | 1000 A, 2200 V, SCR |
| T458N24TOF | 1000 A, 2400 V, SCR |
| T459N20TOF | 1000 A, 2000 V, SCR |
| T459N22TOF | 1000 A, 2200 V, SCR |
| T459N24TOF | 1000 A, 2400 V, SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T458N22TOF | 功能描述:SCR模块 2.2KV 10KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| T458N24T0C | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T458N24TOF | 功能描述:SCR模块 2.4KV 10KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| T458N25T0C | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T458N26TOF | 功能描述:SCR模块 2.6KV 10KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。