参数资料
型号: T70HFL10S10
厂商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 70 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: ROHS COMPLIANT, D-56, 2 PIN
文件页数: 8/15页
文件大小: 386K
代理商: T70HFL10S10
www.vishay.com
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
Document Number: 93184
2
Revision: 13-Feb-08
T..HFL Series
Vishay High Power Products
Fast Recovery Diodes,
40/70/85 A (T-Modules)
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
VOLTAGE RATINGS
TYPE NUMBER
VOLTAGE
CODE
trr
CODE
VRRM, MAXIMUM REPETITIVE
PEAK REVERSE VOLTAGE
V
VRSM, MAXIMUM
NON-REPETITIVE PEAK
REVERSE VOLTAGE
V
IRRM MAXIMUM
AT TJ = 25 °C
A
T40HFL..
T70HFL..
T85HFL..
10
S02, S05, S10
100
150
100
20
S02, S05, S10
200
300
40
S02, S05, S10
400
500
60
S02, S05, S10
600
700
80
S05, S10
800
900
100
S05, S10
1000
1100
FORWARD CONDUCTION
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
T40HFL
T70HFL
T85HFL UNITS
Maximum average forward current
at case temperature
IF(AV)
180° conduction, half sine wave
40
70
85
A
70
°C
Maximum RMS forward current
IF(RMS)
63
110
133
A
Maximum peak, one-cycle forward,
non-repetitive surge current
IFSM
t = 10 ms
No
voltage
reapplied
Sinusoidal half wave,
initial TJ = TJ maximum
475
830
1300
A
t = 8.3 ms
500
870
1370
t = 10 ms
100 %
VRRM
reapplied
400
700
1100
t = 8.3 ms
420
730
1150
Maximum I2t for fusing
I2t
t = 10 ms
No
voltage
reapplied
1130
3460
8550
A2s
t = 8.3 ms
1030
3160
7810
t = 10 ms
100 %
VRRM
reapplied
800
2450
6050
t = 8.3 ms
730
2230
5520
Maximum I2
√t for fusing
I2
√t
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied
11 300
34 600
85 500
A2
√s
Low level value of threshold voltage
VF(TO)1
TJ = 25 °C, (16.7 % x π x IF(AV) < I < π x IF(AV))
0.82
0.87
0.84
V
High level value of threshold voltage
VF(TO)2
TJ = 25 °C, (I > π x IF(AV))
0.84
0.90
0.86
Low level value of forward
slope resistance
rf1
TJ = 25 °C, (16.7 % x π x IF(AV) < I < π x IF(AV))
7.0
2.77
2.15
m
Ω
High level value of forward
slope resistance
rf2
TJ = 25 °C, (I > π x IF(AV))
6.8
2.67
2.07
Maximum forward voltage drop
VFM
IFM = π x IF(AV), TJ = 25 °C, tp = 400 s square wave
Average power = VF(TO) x IF(AV) + rf x (IF(RMS))2
1.60
1.73
1.55
V
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