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参数资料
| 型号： | T90RIA10 |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 141 A, 100 V, SCR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, D-55, T-MODULE-3 |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 251K |
| 代理商： | T90RIA10 |
www.vishay.com
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
Document Number: 93756
2
Revision: 03-Jun-08
T..RIA Series
Vishay High Power Products Medium Power Phase Control Thyristors
(Power Modules), 50 A/70 A/90 A
ON-STATE CONDUCTION
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
T50RIA T70RIA T90RIA UNITS
Maximum average on-state current
at case temperature
IT(AV)
180° conduction, half sine wave
50
70
90
A
70
°C
Maximum RMS on-state current
IT(RMS)
80
110
141
A
Maximum peak, one-cycle
on-state, non-repetitive
surge current
ITSM
t = 10 ms
No voltage
reapplied
Sine half wave,
initial TJ = TJ maximum
1310
1660
1780
A
t = 8.3 ms
1370
1740
1870
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
1100
1400
1500
t = 8.3 ms
1150
1460
1570
Maximum I2t for fusing
I2t
t = 10 ms
No voltage
reapplied
8550
13 860
15 900
A2s
t = 8.3 ms
7800
12 650
14 500
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
6050
9800
11 250
t = 8.3 ms
5520
8950
10 270
Maximum I2
√t for fusing
I2
√t
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied
85 500
138 500 159 100
A2
√s
Low level value of
threshold voltage
VT(TO)1
(16.7 % x
π x I
T(AV) < I < π x IT(AV)), TJ maximum
0.97
0.77
0.78
V
High level value of
threshold voltage
VT(TO)2
(I >
π x I
T(AV)), TJ maximum
1.13
0.88
Low level value of
on-state slope resistance
rt1
(16.7 % x
π x I
T(AV) < I < π x IT(AV)), TJ maximum
4.1
3.6
2.9
m
Ω
High level value of
on-state slope resistance
rt2
(I >
π x I
T(AV)), TJ maximum
3.3
3.2
2.6
Maximum on-state voltage drop
VTM
ITM = π x IT(AV), TJ = 25 °C, tp = 400 s square
Average power = VT(TO) x IT(AV) + rf x (IT(RMS))2
1.60
1.55
V
Maximum forward voltage drop
VFM
ITM = π x IT(AV), TJ = 25 °C, tp = 400 s square
Average power = VT(TO) x IT(AV) + rf x (IT(RMS))2
1.60
1.55
V
Maximum holding current
IH
Anode supply = 6 V, initial IT = 30 A, TJ = 25 °C
200
mA
Maximum latching current
IL
Anode supply = 6 V, resistive load = 10
Ω
Gate pulse: 10 V, 100 s, TJ = 25 °C
400
SWITCHING
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Typical turn-on time
tgd
TJ = 25 °C, Vd = 50 % VDRM, ITM = 50 A
Ig = 500 mA, tr ≤ 0.5, tp ≥ 6 s
0.9
s
Typical reverse recovery time
trr
TJ = 125 °C, ITM = 50 A, tp = 300 s, dI/dt = 10 A/s
3
Typical turn-off time
tq
TJ = TJ maximum, ITM = 50 A, tp = 300 s
-dI/dt = 15 A/s, VR = 100 V, linear to 80 % VDRM
110
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