参数资料
| 型号： | TB1100H-13-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | THYRISTOR PROTECT BIDIR 100A SMB |
| 其它图纸： | TB Series SMB Side TB Series SMB Top |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 击穿： | 130V |
| 电压 - 断路： | 90V |
| 电压 - 导通状态： | 3.5V |
| 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)： | 400A |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 100A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 120pF |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2368 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TB1100H-FDIDKR |
TB0640H - TB3500H
100
1.2
1.15
10
1.1
1
1.05
0.1
V DRM = 50V
1
0.01
0.95
0.001
-25
0
25 50 75 100 125 150
0.9
-50
-25 0 25
50
75 100 125 150 175
1.1
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 1 Off-State Current vs. Junction Temperature
100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 2 Relative Variation of Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature
1.05
10
1
0.95
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
T J , JUNCTION TEMPERATURE (oC)
Fig. 3 Relative Variation of Breakover Voltage
1
1
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
V T , ON-STATE VOLTAGE (V)
Fig. 4 On-State Current vs. On-State Voltage
5
vs. Junction Temperature
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
1
0.1
-50
-25
0
25 50 75 100 125
1
10
100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Relative Variation of Holding Current vs.
Junction Temperature
V R , REVERSE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Relative Variation of Junction Capacitance
vs. Reverse Voltage Bias
TB0640H - TB3500H
Document number: DS30360 Rev. 10 - 2
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May 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1775444-3 | EMIX CONN 1.5MM PITCH HDR R/A 3P |
| 5-146293-3 | CONN HEADER BREAKAWAY 3POS .100 |
| TISP4C220H3BJR-S | SURGE PROT THYRIST 220V TELECOM |
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| TISP4C250H3BJR-S | SURGE PROT THYRIST 250V TELECOM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TB1100L | 制造商:LITEON 制造商全称:Lite-On Technology Corporation 功能描述:SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE |
| TB1100L-13 | 功能描述:硅对称二端开关元件 30A 90V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TB1100L-13-F | 功能描述:硅对称二端开关元件 30A 90V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TB1100M | 制造商:LITEON 制造商全称:Lite-On Technology Corporation 功能描述:SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE |
| TB1100M-13 | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A 90V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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