参数资料
| 型号： | TB1100L-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | THYRISTOR PROTECT BI-DIR 30A SMB |
| 其它图纸： | TB Series SMB Side TB Series SMB Top |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 击穿： | 130V |
| 电压 - 断路： | 90V |
| 电压 - 导通状态： | 3.5V |
| 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)： | 150A |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 30A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 60pF |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2368 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TB1100LDIDKR |
TB0640L - TB3500L
Electrical Characteristics @T A = 25°C unless otherwise specified
Symbol
V DRM
I DRM
V BR
I BR
V BO
I BO
I H
V T
I PP
C O
Parameter
Stand-off Voltage
Leakage current at stand-off voltage
Breakdown voltage
Breakdown current
Breakover voltage
Breakover current
Holding current (Note 5)
On state voltage
Peak pulse current
Off-state capacitance (Note 6)
Notes:
5. I H > (V L /R L ) If this criterion is not obeyed, the TSPD triggers but does not return correctly to high-resistance state. The surge recovery time does not
exceed 30ms.
6. Off-state capacitance measured at f = 1.0MHz, 1.0V RMS signal, V R = 2V DC bias.
I
I PP
I BO
I H
I BR
I DRM
V T
V BR
V
V DRM
V BO
100
1.2
1.15
10
1.1
1
1.05
0.1
V DRM = 50V
1
0.01
0.95
0.001
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 1 Off-State Current vs. Junction Temperature
0.9
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150 175
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 2 Relative Variation of Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature
TB0640L - TB3500L
Document number: DS30359 Rev. 9 - 2
3 of 5
May 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TB1500L-13 | THYRISTOR PROTECT BI-DIR 30A SMB |
| 104432-1 | CONN HDR BRKWAY 2POS DUAL 30AU |
| SSQ-108-01-T-S | CONN RCPT .100" 8POS SNGL TIN |
| PBC21SACN | CONN HEADER .100 SINGL STR 21POS |
| ESD0P2RF-02LRH E6327 | DIODE ESD PROT 20KV TSLP-2-17 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TB1100L-13-F | 功能描述:硅对称二端开关元件 30A 90V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TB1100M | 制造商:LITEON 制造商全称:Lite-On Technology Corporation 功能描述:SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE |
| TB1100M-13 | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A 90V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TB1100M-13-F | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A 90V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TB1101-W | 功能描述:烙铁 Wall Mt 2"+2.5"Arm Wh w/angle+C-clamps RoHS:否 制造商:Weller 产品:Soldering Stations 类型:Digital, Iron, Stand, Cleaner 瓦特:50 W 最大温度:+ 850 F 电缆类型:US Cord Included |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。