参数资料
型号: TB1100M-13
厂商: Diodes Inc
文件页数: 4/6页
文件大小: 0K
描述: THYRISTOR PROTECT BI-DIR 50A SMB
其它图纸: TB Series SMB Side
TB Series SMB Top
标准包装: 1
电压 - 击穿: 130V
电压 - 断路: 90V
电压 - 导通状态: 3.5V
电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs): 250A
电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs): 50A
电流 - 保持 (Ih): 150mA
元件数: 1
电容: 90pF
封装/外壳: DO-214AA,SMB
包装: 标准包装
其它名称: TB1100MDIDKR
TB0640M - TB3500M
100
10
1.2
1.15
1.1
1
1.05
0.1
V DRM = 50V
1
0.01
0.95
0.001
-25
0
25 50 75 100 125 150
0.9
-50
-25 0 25
50
75 100 125 150 175
1.1
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 1 Off-State Current vs. Junction Temperature
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 2 Relative Variation of Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
100
1.05
10
1
0.95
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150 175
1
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE (oC)
Fig. 3 Relative Variation of Breakover Voltage vs. Junction Temperature
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
1
0.1
V T , ON-STATE VOLTAGE (V)
Fig. 4 On-State Current vs. On-State Voltage
-50
-25
0
25 50
75
100
125
1
10
100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Relative Variation of Holding Current vs. Junction Temperature
V R , REVERSE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Relative Variation of Junction Capacitance vs. Reverse Voltage Bias
TB0640M - TB3500M
Document number: DS30361 Rev. 10 - 2
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November 2011
? Diodes Incorporated
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PDF描述
TB1300M-13 THYRISTOR PROTECT BI-DIR 50A SMB
104352-1 CONN HDR BRKWAY 2POS DUAL TIN
104350-2 CONN HDR BRKWAY 4POS DUAL 30AU
TB1100L-13 THYRISTOR PROTECT BI-DIR 30A SMB
TB1100L-13 THYRISTOR PROTECT BI-DIR 30A SMB
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参数描述
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