参数资料
| 型号： | TB1300L-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | THYRISTOR PROTECT BI-DIR 30A SMB |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 击穿： | 160V |
| 电压 - 断路： | 120V |
| 电压 - 导通状态： | 3.5V |
| 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)： | 150A |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 30A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 60pF |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | TB1300LDIDKR |
TB0640L - TB3500L
Maximum Ratings @T A = 25°C unless otherwise specified
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitance load, derate current by 20%.
Characteristic
Non-Repetitive Peak Impulse Current @10/1000us
Non-Repetitive Peak On-State Current @8.3ms (one-half cycle)
Typical Positive Temperature Coefficient for Breakdown Voltage
Symbol
I pp
I TSM
Δ VBR/ Δ T J
Value
30
15
0.1
Unit
A
A
%/°C
Thermal Characteristics
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Lead
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
R θ JL
R θ JA
T J
T STG
Value
30
120
-40 to +150
-55 to +150
Unit
°C/W
°C/W
° C
° C
Maximum Rated Surge Waveform
Peak Value (I pp )
Waveform
Standard
Ipp (A)
2/10 us
8/20 us
10/160 us
10/700 us (Note 4)
10/560 us
10/1000 us
GR-1089-CORE
IEC 61000-4-5
FCC Part 68
ITU-T, K.20/K.21
FCC Part 68
GR-1089-CORE
200
150
100
60
50
30
Half Value
t r = rise time to peak value
t p = decay time to half value
Notes:
4. Applied 2kV, 10/700 us waveform
Electrical Characteristics @T A = 25°C unless otherwise specified
t r
t p
Part Number
Maximum
Rated
Repetitive
Off-State
Voltage
Maximum
Off-State
Leakage
Current @
V DRM
Maximum
Breakover
Voltage
Maximum
On-State
Voltage
@ I T = 1A
Breakover Current
I BO
Holding Current
I H
Typical
Off-State
Capacitance
Marking
Code
V DRM (V)
I DRM (uA)
V BO (V)
V T (V)
Min
(mA)
Max
(mA)
Min
(mA)
Max
(mA)
C O (pF)
TB0640L
TB0720L
TB0900L
TB1100L
TB1300L
TB1500L
TB1800L
TB2300L
TB2600L
TB3100L
TB3500L
58
65
75
90
120
140
160
190
220
275
320
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
77
88
98
130
160
180
220
265
300
350
400
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
100
100
100
60
60
60
60
40
40
40
40
T064L
T072L
T090L
T110L
T130L
T150L
T180L
T230L
T260L
T310L
T350L
TB0640L - TB3500L
Document number: DS30359 Rev. 9 - 2
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May 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBC16SGBN | CONN HEADER .100 SINGL R/A 16POS |
| SSQ-141-03-T-D-RA | CONN RCPT .100" 82POS DL R/A TIN |
| PEC16SBEN | CONN HEADER .100 SINGL R/A 16POS |
| PEC25SBCN | CONN HEADER .100 SINGL R/A 25POS |
| PBC16SFEN | CONN HEADER .100 SINGL STR 16POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TB1300L-13-F | 功能描述:硅对称二端开关元件 30A 120V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TB1300M | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE |
| TB1300M-13 | 功能描述:硅对称二端开关元件 120V 50A RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TB1300M-13-F | 功能描述:硅对称二端开关元件 120V 50A RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TB130192S60 | 制造商:ROEBUCK 功能描述:RBK T/C BUR DIA/CUT CYLINDER 12X19X6MM |
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