参数资料
| 型号： | TB1500H-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | THYRISTOR PROTECT BIDIR 100A SMB |
| 其它图纸： | TB Series SMB Side TB Series SMB Top |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 击穿： | 180V |
| 电压 - 断路： | 140V |
| 电压 - 导通状态： | 3.5V |
| 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)： | 400A |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 100A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 120pF |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2368 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TB1500HDIDKR |
TB0640H - TB3500H
Maximum Ratings @T A = 25°C unless otherwise specified
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitance load, derate current by 20%.
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Non-Repetitive Peak Impulse Current
Non-Repetitive Peak On-State Current
Typical Positive Temperature Coefficient for Breakdown Voltage
@10/1000us
@8.3ms (one-half cycle)
I pp
I TSM
Δ VBR/ Δ T J
100
50
0.1
A
A
%/°C
Thermal Characteristics
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Lead
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
R θ JL
R θ JA
T J
T STG
Value
20
100
-40 to +150
-55 to +150
Unit
°C/W
°C/W
° C
° C
Maximum Rated Surge Waveform
Waveform
2/10 μ s
8/20 μ s
10/160 μ s
10/700 μ s (Note 4)
10/560 μ s
10/1000 μ s
Standard
GR-1089-CORE
IEC 61000-4-5
FCC Part 68
ITU-T, K.20/K.21
FCC Part 68
GR-1089-CORE
Ipp (A)
500
400
250
200
160
100
Peak Value (I pp )
Half Value
t r = rise time to peak value
t p = decay time to half value
Notes: 4. Applied 6kV, 10/700 μ s waveform
t r
t p
TB0640H - TB3500H
Document number: DS30360 Rev. 10 - 2
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May 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 9-146282-0-36 | CONN HDR BRKWAY .100 36POS VERT |
| 4-103741-0-36 | CONN HEADR BRKWAY .100 36POS STR |
| 929647-09-08-I | CONN HEADER .100 SNGL STR 8POS |
| 929836-09-05 | CONN HEADER .100 DUAL STR 10POS |
| 929975-01-02-RK | CONN RECEPT .100 DUAL STR 4POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TB1500H-13-F | 功能描述:硅对称二端开关元件 140V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TB1500L | 制造商:LITEON 制造商全称:Lite-On Technology Corporation 功能描述:SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE |
| TB1500L-13 | 功能描述:硅对称二端开关元件 30A 140V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TB1500L-13-F | 功能描述:硅对称二端开关元件 30A 140V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TB1500M | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE |
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