参数资料
| 型号： | TB2300L-13-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | THYRISTOR PROTECT BIDIR 30A SMB |
| 其它图纸： | TB Series SMB Side TB Series SMB Top |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 击穿： | 265V |
| 电压 - 断路： | 190V |
| 电压 - 导通状态： | 3.5V |
| 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)： | 150A |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 30A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 40pF |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2368 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TB2300L-FDIDKR |
TB0640L - TB3500L
Electrical Characteristics @T A = 25°C unless otherwise specified
Symbol
V DRM
I DRM
V BR
I BR
V BO
I BO
I H
V T
I PP
C O
Parameter
Stand-off Voltage
Leakage current at stand-off voltage
Breakdown voltage
Breakdown current
Breakover voltage
Breakover current
Holding current (Note 5)
On state voltage
Peak pulse current
Off-state capacitance (Note 6)
Notes:
5. I H > (V L /R L ) If this criterion is not obeyed, the TSPD triggers but does not return correctly to high-resistance state. The surge recovery time does not
exceed 30ms.
6. Off-state capacitance measured at f = 1.0MHz, 1.0V RMS signal, V R = 2V DC bias.
I
I PP
I BO
I H
I BR
I DRM
V T
V BR
V
V DRM
V BO
100
1.2
1.15
10
1.1
1
1.05
0.1
V DRM = 50V
1
0.01
0.95
0.001
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 1 Off-State Current vs. Junction Temperature
0.9
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150 175
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 2 Relative Variation of Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature
TB0640L - TB3500L
Document number: DS30359 Rev. 9 - 2
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May 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6-292161-3 | CONN HEADER 3POS VERT 2MM T/H |
| 440053-3 | 2.5MM,HDR,3POS,R/A |
| 4-292132-6 | CT P/HDR BOX V 6P YELLOW |
| PBC14DFAN | CONN HEADER .100 DUAL STR 28POS |
| SSQ-102-01-T-S | CONN RCPT .100" 2POS SNGL TIN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TB2300M | 制造商:LITEON 制造商全称:Lite-On Technology Corporation 功能描述:SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE |
| TB2300M-13 | 功能描述:硅对称二端开关元件 190V 50A RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TB2300M-13-F | 功能描述:硅对称二端开关元件 190V 50A RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TB235G | 制造商:GARVIN 功能描述:2G Mason Bx, 3-1/2 D, gangabl |
| TB24 | 制造商:Curtis Industries 功能描述: |
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