参数资料
型号: TC1411COA713
厂商: Microchip Technology
文件页数: 6/18页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DVR 1A HS INV 8SOIC
标准包装: 3,300
配置: 低端
输入类型: 反相
延迟时间: 30ns
电流 - 峰: 1A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 4.5 V ~ 16 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
TC1411/TC1411N
Note: Unless otherwise indicated, over operating temperature range with 4.5V ≤ V DD ≤ 16V.
100
80
C LOAD = 1000 pF
100
80
C LOAD = 1000 pF
T A = +85 ° C
60
40
T A = +25 ° C
60
40
T A = +85 ° C
T A = +25 ° C
20
T A = -40 ° C
20
T A = -40 ° C
0
4
6
8
10
12
14
16
0
4
6
8
10
12
14
16
V DD (V)
V DD (V)
FIGURE 2-7:
Voltage.
Rise Time vs. Supply
FIGURE 2-10:
Voltage.
Fall Time vs. Supply
100
80
C LOAD = 1000 pF
100
80
C LOAD = 1000 pF
60
T A = +85 ° C
T A = +25 ° C
60
T A = +85 ° C
T A = +25 ° C
40
40
20
T A = -40 ° C
20
T A = -40 ° C
0
4
6
8
10
12
14
16
0
4
6
8
10
12
14
16
V DD (V)
V DD (V)
FIGURE 2-8:
Supply Voltage.
Propagation Delay vs.
FIGURE 2-11:
Supply Voltage.
Propagation Delay vs.
100
80
T A = +25 ° C
V DD = 16V
t RISE
36
34
T A = +25 ° C
V DD = 16V
t D2
60
32
40
20
t FALL
30
28
t D1
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
26
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
C LOAD (pF)
C LOAD (pF)
FIGURE 2-9:
Rise and Fall Times vs.
FIGURE 2-12:
Propagation Delays vs.
Capacitive Load.
DS21390D-page 6
Capacitive Load.
? 2006 Microchip Technology Inc.
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PDF描述
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TC1411COA IC MOSFET DVR 1A HS INV 8SOIC
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参数描述
TC1411CPA 功能描述:功率驱动器IC 1A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC1411EOA 功能描述:功率驱动器IC 1A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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